用于分立式IGBT的全新TO-247 4针开尔文发射极封装

                                      用于分立式IGBT的全新TO-247 4针开尔文发射极封装
      全新TO-247 4针开尔文发射极封装着重解决高能效应用在高功率密度和节约空间方面的需求。英飞凌全新TO-247PLUS封装适用于大功率应用，可用在高达120A的IGBT上，同时还集成了全额定二极管。该封装的占板空间及引脚排布与JEDEC标准的TO-247封装完全相同。
                                              具有开尔文发射极的 TO-247 4 引脚封装

      具有开尔文发射极的TO-247 4引脚封装能够实现更快的换向，从而改善IGBT的开关行为。与标准TO-247相比，动态损耗降低了20%，从而提高整个系统的效率，使IGBT能够在较低的温度下工作。IGBT的开关速度越快，TO-247 4引脚带来的好处就越多。
      适用于1200 V IGBT的TO-247PLUS 4引脚封装
      带75 A二极管，采用TO-247封装的IGBT总开关损耗降低20%以上，最高电流密度高达75A的1200 V，Rth(jh)降低20%，散热能力提高15%，采用快速卡扣式组装。
      采用4引脚封装型号，效率更高，开关损耗更低
      TO-247PLUS 4引脚封装的一个特殊特性是采用4引脚连接到驱动器IC。第4根引脚消除了栅极控制回路上发射极引脚电感的影响，从而使IGBT能够更快地响应驱动IC信号。IGBT更快速的响应降低了开关能量损耗，并且能够以更快的速度打开/关断开关。采用4引脚封装代替3引脚，使总开关损耗降低超过20%。
      更高的效率增加功率密度。更低的成本。
      更高的效率和更低的成本是下一代设计的共性关键要求。但是，是否能以更低的成本实现更高的系统性能？
      由于在逆变器电路中的功率设备存在较大的功率损耗，功率开关的低损耗或高效率直接影响系统的功率输出。系统中的能量损耗越少，就会有更多能量转移到输出功率，系统功率密度也相应增加。能量损耗越少，就会有更多能量转移到输出功率，输出功率成本kW/€越低。

      使用1200 V TO-247PLUS 4引脚，实现更高的设计灵活性和更优的系统性能！
      采用TO-247 4引脚开尔文发射极封装的第五代TRENCHSTOP™       当您将TO-247 4引脚开尔文发射极封装与第五代TRENCHSTOP™分立IGBT相结合时，会发生什么？
      与采用标准TO-247封装的第五代TRENCHSTOP™分立IGBT相比，IGBT性能能够降低20%的开关损耗。
      “提高效率。增加功率密度！降低成本”。听上去很熟悉？
      我们不断继续着对创新和改进成本的不懈追求。但是，解决方案在哪里？这正是英飞凌公司的新型TRENCHSTOP™分立IGBT技术与全新TO-247 4引脚开尔文发射极封装相结合的契机。它通过采用第4根发射极感应引脚，使引线电感降低20%。同时，在全负荷条件下，它可以降低20%的开关损耗。
      此外，我们的客户报告说，在PFC和逆变器阶段结合使用第五代TRENCHSTOP™分立IGBT与TO-247 4引脚封装，系统效率提高了整整1%。我们已经打破了97%的系统效率壁垒，在是行业内首家做到这一点的企业。此外，更高的效率和高速开关能力同时也提高了功率密度。在高达100 kHz的频率下运行，与最接近的竞争对手的IGBT相比较，可以大大减小无源元件尺寸，且功率密度可以增加一倍。这既节省资金又节省空间。
      拓展您的性能范围，以应对您正面面对的挑战，使局面得到缓解。

                                                                                      引脚产品组合