碳化硅

                                                CoolSiC™ - 依赖高压段的变革

      碳化硅(SiC)器件属于所谓的宽禁带半导体组别。与常用硅(Si)器件相比，它们为高压功率半导体提供了许多有吸引力的特性。特别是，碳化硅具备更高的击穿电场强度和导热率，可以制造出远超相应硅基的器件。这样您就可以在设计中实现原本无法企及的效率水平。
      碳化硅(SiC)具有3电子伏特(eV)的宽带隙和更高的导热率。基于SiC的MOSFET最适用于高击穿、高功率的高频应用。诸如RDS(on)等器件参数随温度的变化较小。这使设计人员能够在设计中实现更小的极限，从而实现更高的性能。基于成熟的高质量批量生产，英飞凌CoolSiC™解决方案将革命性技术与标准可靠性相结合，为客户目前和未来的成功提供支持。
      过去几年，基于SiC功率半导体解决方案的使用大幅增加，引发了一场行业变革。推动这一市场发展的驱动力量包括以下趋势：节能减耗，尺寸缩减，系统集成以及可靠性提高。
      快速硅基半导体开关与SiC二极管的组合 - 通常被称为“混合”解决方案。近年来，英飞凌制造了数百万个混合模块，并见证了它们被安装在各种各类客户产品之中。
      在未来几年内，SiC功率半导体解决方案将扩展到工业或牵引驱动等其他应用领域。究其原因，则是推动降低损耗的市场力量所致，其目的不仅是在于提高效率，也是为了缩小封装体积——从而实现降低散热要求。SiC已经应用于高端和小众解决方案。如今的设计正使用这些优势来降低特定应用领域的系统成本。