氮化镓

                                        CoolGaN™ - 将氮化镓(GaN)技术提升到新的水平

      GaN比SiC具有更高的带隙（3.4电子伏特）和更高的电子迁移率。与硅(Si)相比，其击穿场强度高出十倍，电子迁移率提高一倍。输出电荷和栅极电荷都比硅(Si)低十倍，反向恢复电荷几乎为零，这对于高频操作至关重要。GaN是现代谐振拓扑中的首选技术，可实现并支持新方法，包括新拓扑和电流调制。英飞凌的GaN解决方案基于市场上最稳健和性能最好的概念——增强型(e-mode)概念，可提供快速的开关速度。CoolGaN™ 氮化镓产品专注于高性能和稳健性，为许多应用（如服务器、电信、无线充电、适配器和充电器及音频）中的各种系统增加了重要价值。CoolGaN™开关简单易用，易于采用英飞凌专用的GaN EiceDRIVER™栅极驱动器IC进行设计。
      氮化镓（GaN）超越了硅的基本优势。特别是较高临界的电场对于具有出色的特定导通电阻和较小的电容的功率半导体器件来说非常有吸引力。与硅开关相比，GaN HEMT更适合高速开关。